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SQ3460EV
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
1.8
1.5
I D = 5.1 A
V GS = 2.5 V
100
10
1
T J = 150 ° C
1.2
0.9
0.6
V GS = 4.5 V
0.1
0.01
0.001
T J = 25 ° C
- 50 - 25
0 25 50 75 100 125
150
175
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0.25
0.20
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.3
0.1
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source Drain Diode Forward Voltage
0.15
0.10
- 0.1
- 0.3
I D = 5 mA
I D = 250 μA
0.05
0.00
T J = 25 ° C
T J = 150 ° C
- 0.5
- 0.7
0
1 2 3 4
5
- 50 - 25
0
25 50 75 100
125
150
175
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
35
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
33
31
29
27
25
I D = 1 mA
- 50 - 25
0 25 50 75 100 125
150
175
T J - Junction Temperature ( ° C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
S11-2359-Rev. D, 05-Dec-11
4
Document Number: 67037
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